深圳明佳達電子有限公司 供應 IXYS IXFX230N20T N溝道增強型功率MOSFET晶體管深圳明佳達電子有限公司作為電子元器件行業(yè)的領先供應商，為客戶提供IXYS IXFX230N20T N溝道增強型功率MOSFET晶體管。IXFX230N20T憑借其卓越的性能參數(shù)和廣泛的應用范圍，已成為電源管理和電源…
深圳明佳達電子有限公司 供應 IXYS IXFX230N20T N溝道增強型功率MOSFET晶體管
深圳明佳達電子有限公司作為電子元器件行業(yè)的領先供應商，為客戶提供IXYS IXFX230N20T N溝道增強型功率MOSFET晶體管。IXFX230N20T憑借其卓越的性能參數(shù)和廣泛的應用范圍，已成為電源管理和電源轉換系統(tǒng)中的關鍵組件。
IXFX230N20T產品概述：
IXFX230N20T是一款高性能功率MOSFET，采用N溝道增強型結構設計，專為高電流和高電壓應用優(yōu)化。該IXFX230N20T器件在TO-247-3封裝中集成了強大的功率處理能力，使其成為工業(yè)電源、電機驅動和能源轉換系統(tǒng)的理想選擇。
IXFX230N20T 規(guī)格：
晶體管極性：N溝道
通道數(shù)：1通道
Vds - 漏源擊穿電壓：200 V
Id - 連續(xù)漏極電流：230 A
Rds On - 漏源電阻：7.5 mΩ
Vgs - 柵源電壓：-20 V，+20 V
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓：3 V
Qg - 柵極電荷：358 nC
最低工作溫度：-55°C
最高工作溫度：+175°C
Pd - 功率耗散：1.67 kW
通道模式：增強模式
單位重量：6 g
IXFX230N20T 的特點：
國際標準包裝
高電流處理能力
快速內部二極管
雪崩評級
低 RDS(on)
IXFX230N20T 的關鍵技術亮點：
超高的電流承載能力：連續(xù)漏極電流（Id）最高可達 230A（在封裝溫度 Tc 下），使 IXFX230N20T 能夠滿足高功率應用的需求
優(yōu)異的導通狀態(tài)特性：漏極-源極導通電阻（Rds(on)）低至 7.5mΩ，顯著降低導通狀態(tài)損耗并提升系統(tǒng)效率
堅固的電壓規(guī)格：漏源擊穿電壓（Vds）為 200V，柵源電壓（Vgs）范圍為 ±20V，提供寬廣的安全工作區(qū)域
卓越的熱性能：功率耗散（Pd）高達 1.67kW（在 Tc 條件下），支持從 -55°C 到 +175°C 的寬溫度范圍工作環(huán)境
IXFX230N20T采用IXYS專有的HiPerFET技術平臺，通過優(yōu)化器件結構和材料特性，實現(xiàn)開關速度、導通電阻與熱穩(wěn)定性之間的最佳平衡。柵極電荷（Qg）為358nC，確?？焖匍_關過渡，而柵源閾值電壓（Vgs th）為3V，提供卓越的控制靈敏度。
IXFX230N20T 的應用：
憑借卓越的電氣特性，IXFX230N20T 功率 MOSFET 在多個工業(yè)領域展現(xiàn)出廣泛的應用潛力：
工業(yè)電源系統(tǒng)：
高功率開關電源（SMPS）設計，特別是服務器電源和電信基站電源
不間斷電源（UPS）系統(tǒng)中的逆變器和整流模塊
支持高扭矩應用的工業(yè)電機驅動控制器
焊接設備和等離子切割機的功率輸出級
新能源與能源轉換：
太陽能逆變器中的直流-交流轉換電路
風力發(fā)電系統(tǒng)中的功率調節(jié)單元
電池儲能系統(tǒng)（BESS）中的能源管理模塊
電動汽車充電站中的功率轉換級
其他高性能應用：
音頻放大器中的輸出級，特別是專業(yè)級高功率放大器
感應加熱設備中的諧振電路
脈沖電源系統(tǒng)中的快速開關應用
測試和測量設備中的高電流負載開關
IXFX230N20T的設計優(yōu)勢：
高效率：低導通電阻和優(yōu)化的開關特性減少能量損耗，提升整體系統(tǒng)效率
高可靠性：TO-247-3封裝提供卓越的熱性能，結合寬溫度工作范圍，確保在惡劣環(huán)境中穩(wěn)定運行
設計靈活性：±20V的寬柵極驅動電壓范圍簡化驅動電路設計，并兼容各種控制器輸出
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