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IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V，8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件，具有低飽和壓降VCEsat，可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。

特征描述

VCE = 1200 V

IC = 8 A

低飽和壓降VCEsat = 2 V（Tvj = 150°C）

高抗短路能力（8 μs）

寬的dv/dt 可控范圍

應(yīng)用領(lǐng)域

IGD08N120S7適用于工業(yè)電機驅(qū)動和控制等領(lǐng)域，特別適合需要高電壓和高效率的輔助電源設(shè)計?。

技術(shù)規(guī)格

IGBT 類型：溝槽型場截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：24 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：24 A

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，8A

功率 - 最大值：106 W

開關(guān)能量：460μJ（導(dǎo)通），410μJ（關(guān)斷）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：55 nC

25°C 時 Td（開/關(guān)）值：15ns/149ns

測試條件：600V，8A，20 歐姆，15V

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：TO-252-3

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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