商品名稱:ARM 微控制器 - MCU
品牌:ST
年份:25+
封裝:LQFP48
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:20000 件
STM32F100C4T6A是一款基于 ARM Cortex-M3 內(nèi)核的 32 位微控制器,屬于 STM32F100 超值系列。該芯片集高性能、低功耗和高集成度于一身,適用于多種嵌入式應(yīng)用場(chǎng)景。
核心特性
高性能 ARM Cortex-M3 內(nèi)核
運(yùn)行頻率高達(dá) 24 MHz,支持單周期乘法和硬件除法,性能優(yōu)異。
提供 1.25 DMIPS/MHz 的處理能力,適合實(shí)時(shí)控制應(yīng)用。
存儲(chǔ)器配置
16 KB Flash 存儲(chǔ)器,用于程序存儲(chǔ)。
4 KB SRAM,支持高速數(shù)據(jù)存取。
豐富的外設(shè)資源
1 個(gè) 12 位 ADC,支持 10 個(gè)通道,轉(zhuǎn)換時(shí)間低至 1.2 μs。
2 個(gè) 12 位 DAC,提供高精度模擬輸出。
多個(gè)定時(shí)器(包括 16 位通用定時(shí)器和高級(jí)控制 PWM 定時(shí)器),支持電機(jī)控制和信號(hào)生成911。
支持多種通信接口,包括 I2C、SPI、USART 和 HDMI CEC,滿足多樣化連接需求。
低功耗設(shè)計(jì)
支持多種低功耗模式(睡眠、停止和待機(jī)模式),適合電池供電設(shè)備。
寬工作電壓范圍
工作電壓范圍為 2.0V 至 3.6V,適應(yīng)多種電源環(huán)境1011。
封裝與引腳
采用 LQFP-48 封裝,尺寸為 7.2 mm x 7.2 mm x 1.45 mm,適合緊湊型設(shè)計(jì)。
提供 37 個(gè)可編程 I/O 引腳,支持多種外設(shè)連接。
應(yīng)用領(lǐng)域
STM32F100C4T6A 適用于以下場(chǎng)景:
工業(yè)控制:如 PLC、逆變器和電機(jī)控制。
消費(fèi)電子:如游戲外設(shè)、打印機(jī)和掃描儀。
醫(yī)療設(shè)備:如手持醫(yī)療儀器和患者監(jiān)護(hù)設(shè)備。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
L6201PSTR
L6201PSTR是一款用于電機(jī)控制應(yīng)用的全橋驅(qū)動(dòng)器,采用 Multipower-BCD 技術(shù),在同一芯片上結(jié)合了隔離 DMOS 功率晶體管、CMOS 和雙極電路。通過(guò)使用混合技術(shù),可以優(yōu)化邏輯電路和功率級(jí),從而實(shí)現(xiàn)最佳性能。DMOS 輸出晶體管可在高達(dá) 42V 的電源電壓下工作,并能以較高的開(kāi)關(guān)…VNL5030S5TR
VNL5030S5TR:25A,OMNIFET III 全保護(hù)低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,SOIC-8型號(hào):VNL5030S5TR封裝:SOIC-8類型:OMNIFET III 全保護(hù)低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器概述:VNL5030S5TR 是 OMNIFET III 全保護(hù)低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,它是采用 VIPower 技術(shù)制造的單片式器件,用于驅(qū)動(dòng)一側(cè)與電池相連的阻性或感性負(fù)載…STM32F103CBT6
STM32F103CBT6是主流微控制器可滿足工業(yè)、醫(yī)療和消費(fèi)者市場(chǎng)中的各種應(yīng)用需求。STM32G030C8T6TR
STM32G030C8T6TR 32位微控制器 (MCU) 適合用于消費(fèi)、工業(yè)和家電領(lǐng)域的應(yīng)用,并可隨時(shí)用于物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 解決方案。STM32G030K8T6TR
STM32G030K8T6TR主流微控制器基于工作頻率可達(dá)64 MHz的高性能Arm Cortex-M0+ 32位RISC內(nèi)核。SCT025H120G3-7
SCT025H120G3-7器件是一款1200 V 碳化硅功率MOSFET,采用(ST)先進(jìn)的SiC MOSFET技術(shù)開(kāi)發(fā)而成。SCT025H120G3-7具有極低的RDS(on)、低電容和極高的開(kāi)關(guān)操作性能,適用于高頻、高效、系統(tǒng)尺寸和重量減輕的應(yīng)用場(chǎng)景??。技術(shù)規(guī)格產(chǎn)品:SCT025H120G3-7封裝 / 箱體:H2PAK-7晶…電話咨詢:86-755-83294757
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