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商品名稱(chēng):IGBT 晶體管
品牌:IXYS
年份:24+
封裝:TO-264-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
IXBK55N300 是一款3 kV 130 A超高電壓系列IGBT,采用TO-264-3封裝。
BiMOSFET兼具M(jìn)OSFET和IGBT的優(yōu)勢(shì)。 憑借非外延結(jié)構(gòu)和新的制造工藝,BiMOSFET大獲成功。這種高壓器件是并聯(lián)的理想選擇,因?yàn)轱柡碗妷汉捅菊鞫O管的正向壓降均具有正電壓溫度系數(shù)。
功能與特色:
“自由”本征體二極管
高功率密度
高頻運(yùn)行
低傳導(dǎo)損耗
MOS柵極開(kāi)啟簡(jiǎn)單便捷
4000V電氣絕緣
應(yīng)用:
開(kāi)關(guān)模式和諧振模式電源
不間斷電源(UPS)
激光和X射線(xiàn)發(fā)生器
電容放電電路
高壓脈沖電路
高壓測(cè)試設(shè)備
AC開(kāi)關(guān)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國(guó)硅谷,1983年成立,主營(yíng):MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車(chē)、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率,涵蓋了…
LSIC1MO120G0025
LSIC1MO120G0025器件是一款1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。LSIC1MO120G0025適用于需要高電壓和高電流的應(yīng)用場(chǎng)景,例如電源管理、電機(jī)控制、逆變器等工業(yè)和消費(fèi)電子產(chǎn)品中?。技術(shù)參數(shù)封裝 / 箱體:TO-247-4晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓…VUO36-16NO8
VUO36-16NO8是一款高性能三相橋式整流器,專(zhuān)為高電壓、高電流的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。IXSH80N120L2KHV
IXSH80N120L2KHV是一款1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管,其導(dǎo)通電阻(RDS(on))為30mΩ,這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,器件的電阻較小,有助于減少能量損耗。該IXSH80N120L2KHV器件適用于需要高效率、快速開(kāi)關(guān)和低損耗的應(yīng)用,如車(chē)載充電器、電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力汽車(chē)的DC/DC變換…IXSH40N120L2KHV
IXSH40N120L2KHV是一款工業(yè)級(jí)SiC MOSFET,其耐壓值為1200V,具有低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)特性,適用于高功率應(yīng)用場(chǎng)景。IXSH40N120L2KHV具有較低的導(dǎo)通電阻,有助于減少能量損耗,提高系統(tǒng)效率?。技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品:IXSH40N120L2KHV封裝 / 箱體:TO-247-4L晶體管極性:N-Channel…IXSA80N120L2-7
IXSA80N120L2-7是一款工業(yè)級(jí)、單開(kāi)關(guān)SiC MOSFET,具有低損耗、快速切換的特性,適用于高速度工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源供應(yīng)。主要特性低導(dǎo)通損耗?:IXSA80N120L2-7的導(dǎo)通損耗非常低,具體為30m?。低柵極驅(qū)動(dòng)功率要求?:柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-3/+15到18V。低熱管理需求?:該MOSFE…IXSA40N120L2-7
IXSA40N120L2-7是一款工業(yè)級(jí)單管碳化硅MOSFET(SiC MOSFET),具有優(yōu)異的功率循環(huán)特性和快速、低損耗的開(kāi)關(guān)行為。應(yīng)用領(lǐng)域IXSA40N120L2-7適用于多種高功率和高頻率的應(yīng)用場(chǎng)景,包括:太陽(yáng)能逆變器開(kāi)關(guān)模式電源不間斷電源電機(jī)驅(qū)動(dòng)DC/DC轉(zhuǎn)換器電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)設(shè)施感應(yīng)加熱…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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