MT53E256M32D2DS-053 AUT:B LPDDR4內(nèi)存器件采用多芯片封裝 (MCP) 和封裝體疊層 (PoP) 設(shè)計(jì),可節(jié)省PCB空間。該器件優(yōu)化用于解決電池供電應(yīng)用中的功耗問題,非常適合用于手持設(shè)備、電池供電應(yīng)用和超便攜設(shè)備。
規(guī)格
存儲器類型:易失
存儲器格式:DRAM
技術(shù):SDRAM - Mobile LPDDR4
存儲容量:8Gb
存儲器組織:256M x 32
存儲器接口:-
時(shí)鐘頻率:1.866 GHz
寫周期時(shí)間 - 字,頁:-
電壓 - 供電:1.1V
工作溫度:-40°C ~ 125°C(TC)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:200-WFBGA
供應(yīng)商器件封裝:200-WFBGA(10x14.5)
基本產(chǎn)品編號:MT53E256